Les JFETs - Distributeur de composants électroniques - Page 267

Fabricant

Panasonic Electronic Components

National Semiconductor

Renesas Electronics Corporation

Diodes Incorporated

Microchip Technology

Toshiba Semiconductor and Storage

Microsemi Corporation

Texas Instruments

Infineon Technologies

Central Semiconductor Corp

Nisshinbo Micro Devices Inc.

Rochester Electronics, LLC

Qorvo

NTE Electronics, Inc

Solid State Inc.

Linear Integrated Systems, Inc.

InterFET

NTE Electronics, Inc

Intersil

Precision Monolithics

Harris Corporation

Fairchild Semiconductor

NEC Corporation

Sanyo

Linear Technology

Advanced Micro Devices

Burr Brown

Motorola

Produits en vedette

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Numéro de pièce	Fabricant	Description	En stock	Quantité	Le paquet	Statut	Détails
SMP4221TR	InterFET	JFET N-Channel -30V Low Ciss	3642	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Détails
SMP5461	InterFET	JFET P-Channel 40V Low Ciss	3181	RFQ	Strip	Active	Détails
SMP4220ATR	InterFET	JFET N-Channel -30V Low Ciss	8546	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Détails
SMP4339TR	InterFET	JFET N-Channel -50V Low Ciss	7651	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Détails
SMP4339	InterFET	JFET N-Channel -50V Low Ciss	2717	RFQ	Strip	Active	Détails
SMP4393TR	InterFET	JFET N-Channel -40V Low Noise	1564	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Détails
SMP5462TR	InterFET	JFET P-Channel 40V Low Ciss	3103	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Détails
SMP4221	InterFET	JFET N-Channel -30V Low Ciss	1622	RFQ	Strip	Active	Détails
SMP4221A	InterFET	JFET N-Channel -30V Low Ciss	4467	RFQ	Strip	Active	Détails
SMP4393	InterFET	JFET N-Channel -40V Low Noise	9975	RFQ	Strip	Active	Détails
SMP4221ATR	InterFET	JFET N-Channel -30V Low Ciss	5353	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Détails
IFN202ST3	InterFET	JFET N-Channel -40V Low Ciss	2657	RFQ	Strip	Active	Détails

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Les JFETs

Les transistors à effet de champ de jonction (JFET) sont des dispositifs utilisés en tant que commutateurs de commande électronique, amplificateurs ou résistances de compression. La différence de potentiel électrique appliquée aux pôles appropriés entre la porte et la borne source augmente la résistance au courant, ce qui signifie que moins de courant circulera dans le canal entre la borne source et la borne de fuite. Étant donné que la charge coule dans le canal de semi-conducteur entre les bornes source et de fuite, les JFETs n'ont pas besoin de courant biaisé.